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長(zhǎng)光華芯上半年扭虧,光通信芯片批量出貨

原創(chuàng) <{$news["createtime"]|date_format:"%Y-%m-%d %H:%M"}>  樂(lè)居財(cái)經(jīng) 2893閱讀 2025-08-22 23:15

Ai快訊 今日(8月22日),長(zhǎng)光華芯發(fā)布2025年半年報(bào),展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢(shì)。

財(cái)報(bào)顯示,長(zhǎng)光華芯上半年?duì)I業(yè)收入達(dá)2.14億元,同比增長(zhǎng)68.08%;歸母凈利潤(rùn)為897.45萬(wàn)元,成功實(shí)現(xiàn)扭虧,去年同期為 -4248萬(wàn)元;扣非歸母凈利潤(rùn)為 -1145.43萬(wàn)元,較去年同期的 -7272萬(wàn)元大幅收窄;基本每股收益0.05元。

單季度來(lái)看,今年第二季度表現(xiàn)亮眼,實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.20億元,同比增長(zhǎng)59.98%,環(huán)比增長(zhǎng)27.05%;歸母凈利潤(rùn)達(dá)1647萬(wàn)元,同比增長(zhǎng)171.53%。

談及業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)原因,長(zhǎng)光華芯表示,上半年市場(chǎng)拓展成效顯著,高功率產(chǎn)品收入大幅增長(zhǎng),同時(shí)前期布局的光通信等業(yè)務(wù)獲得終端客戶認(rèn)可并實(shí)現(xiàn)批量出貨,逐步打開了其他業(yè)務(wù)增長(zhǎng)曲線。

不過(guò),今年上半年長(zhǎng)光華芯經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生的現(xiàn)金流量?jī)纛~為 -2805萬(wàn)元,去年同期為831萬(wàn)元。公司解釋稱,這一變化主要是受上半年產(chǎn)量增加影響,購(gòu)買商品、接受勞務(wù)支付的現(xiàn)金較上年同期增加3310.30萬(wàn)元;此外,上半年內(nèi)票據(jù)回款增加,二季度實(shí)現(xiàn)收入規(guī)模較大,部分客戶尚處于信用期內(nèi)。

長(zhǎng)光華芯專注于半導(dǎo)體激光芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)及制造,已建成覆蓋芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、晶圓處理工藝(光刻)、解理/鍍膜、封裝測(cè)試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺(tái)和2吋、3吋、6吋量產(chǎn)線,應(yīng)用于多款半導(dǎo)體激光芯片開發(fā)。其主要產(chǎn)品包括高功率單管系列產(chǎn)品、高功率巴條系列產(chǎn)品、高效率VCSEL系列產(chǎn)品及光通信芯片系列產(chǎn)品等。

在產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)展上,今年上半年成果豐碩。超高功率單管芯片在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研制技術(shù)上取得突破,雙結(jié)單管芯片創(chuàng)室溫連續(xù)功率超過(guò)132W的新紀(jì)錄,芯片條寬500μm,工作效率62%,打破了此前單管芯片室溫連續(xù)功率超過(guò)100W的行業(yè)最高水平紀(jì)錄。同時(shí),攻克了低損耗多結(jié)VCSEL結(jié)構(gòu)技術(shù),將面發(fā)射芯片效率提升到74%。在光通信芯片技術(shù)領(lǐng)域,交付量顯著提升,其中100G EML產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),200G EML已開始送樣,100G VCSEL、100mW CW DFB和70mW CWDM4 DFB芯片已達(dá)量產(chǎn)出貨水平。

據(jù)長(zhǎng)光華芯Q2接受機(jī)構(gòu)調(diào)研稱,今年光通信領(lǐng)域三大類芯片產(chǎn)品,營(yíng)收預(yù)計(jì)合計(jì)在5000萬(wàn)到1億元規(guī)模之間。長(zhǎng)光華芯表示,國(guó)內(nèi)頭部終端廠商在數(shù)據(jù)中心的投入持續(xù)增加,投資額度比原來(lái)預(yù)算提高到1.5到2倍。“目前是國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展的最好時(shí)機(jī),受地緣政治影響,終端客戶更傾向于使用能滿足要求的國(guó)產(chǎn)芯片,這也是公司能獲得頭部客戶批量訂單的重要原因?!?/p>

目前,長(zhǎng)光華芯高功率產(chǎn)品產(chǎn)能利用率較高,隨著投資計(jì)劃和良率提升計(jì)劃的推進(jìn),良率提升后能完全滿足客戶需求。在今年的資本開支方面,長(zhǎng)光華芯透露,高功率單管芯片方面將增加新產(chǎn)品并提升良率;科研和特殊領(lǐng)域的模塊,研發(fā)投入會(huì)更多;VCSEL車載激光雷達(dá)的投入,將隨著量產(chǎn)的交付有所增加;隨著光通信產(chǎn)品的交付和訂單量的上升,年內(nèi)會(huì)有擴(kuò)產(chǎn)投資。

(AI撰文,僅供參考)

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