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10月10日，科創(chuàng)芯片板塊在昨日強勁沖高后調(diào)整，截至10:38，科創(chuàng)芯片50ETF（588750）新高后回調(diào)，放量大跌超4%，盤中成交額超3億元。資金連續(xù)多日跑步進場，科創(chuàng)芯片50ETF（588750）近7日獲資金累計凈流入超11億元！

科創(chuàng)芯片50ETF（588750）標(biāo)的指數(shù)成分股多數(shù)回調(diào)，華虹公司跌超10%，海光信息、中芯國際等跌超6%，中微公司、寒武紀等跌超3%，瀾起科技等跌幅居前。

【科創(chuàng)芯片50ETF（588750）標(biāo)的指數(shù)前十大成分股】

截至10:43，成分股僅做展示使用，不構(gòu)成投資建議

科創(chuàng)芯片板塊繼昨日大漲后今日回調(diào)，或是多重因素影響，包括對于個別產(chǎn)業(yè)鏈成份股折算率的調(diào)整等。但產(chǎn)業(yè)鏈基本面高景氣邏輯不改，短期調(diào)整不改長期景氣趨勢，國信證券指出，半導(dǎo)體行業(yè)迎來全面反彈，看好“宏觀政策周期、產(chǎn)業(yè)庫存周期、AI創(chuàng)新周期”三重共振下的估值擴張行情！

技術(shù)方面，繼今年4月在《自然》提出“破曉”二維閃存原型器件后，復(fù)旦大學(xué)科研團隊又迎來新突破。北京時間10月8日晚，復(fù)旦大學(xué)在《自然》（Nature）上發(fā)文，題目為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》（“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”），相關(guān)成果率先實現(xiàn)全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片，攻克新型二維信息器件工程化關(guān)鍵難題。

價格方面，過去半年全球存儲芯片價格持續(xù)上漲。存儲廠商美光發(fā)出通知，全面停止DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5這些主力非HBM DRAM內(nèi)存產(chǎn)品報價，暫停期暫定為一周，后續(xù)這些品類可能調(diào)漲20%~30%。CFM閃存市場近日發(fā)布2025年Q4存儲市場展望報告。報告指出，預(yù)計四季度，服務(wù)器eSSD漲幅將達到10%以上，DDR5RDIMM價格漲幅約10%~15%。

天風(fēng)證券此前就指出，漲價持續(xù)性+AI強催化+國產(chǎn)化加速，存儲板塊近期重大機遇，基于：1）Q3Q4存儲大板塊或持續(xù)漲價、2）AI服務(wù)器、PC、手機等帶動存儲容量快速升級+HBM、eSSD、RDIMM等高價值量產(chǎn)品滲透率持續(xù)提升拉高板塊收入提亮、3）HBM、eSSD、RDIMM、DDR等高難度高速發(fā)展產(chǎn)品國產(chǎn)化率持續(xù)提升，國內(nèi)存儲市場進一步加速成長。（來源于天風(fēng)證券20250702《漲價持續(xù)性+AI強催化+國產(chǎn)化加速，重點推薦存儲板塊機遇》）

【自主創(chuàng)新持續(xù)，國產(chǎn)替代趨勢明確】

中信證券指出，自2022年美國針對中國半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)限制一再升級，每次的升級對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響逐漸縮小，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)做好了充足的準備，半導(dǎo)體設(shè)備及零部件的國產(chǎn)替代趨勢更加明確，尤其是先進存儲和先進邏輯的國產(chǎn)化彈性巨大。此外，2023年開始，國內(nèi)晶圓廠逐漸打造高國產(chǎn)化產(chǎn)線，其中先進存儲突破進度相對更快，邏輯緊隨其后。據(jù)報道，國產(chǎn)存儲晶圓廠正積極推進半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代，降低對海外供應(yīng)商的依賴，目前已在蝕刻和沉積工藝方面突破關(guān)鍵障礙。該機構(gòu)預(yù)計2025年國內(nèi)先進存儲晶圓廠擴產(chǎn)需求保持穩(wěn)定；2026年隨著新產(chǎn)線的落地有望快速提升，疊加上游環(huán)節(jié)的國產(chǎn)替代需求，有望帶動國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備、零部件環(huán)節(jié)的需求加速成長。（來源于中信證券20251009《電子行業(yè)半導(dǎo)體板塊點評：美眾議院發(fā)布涉華半導(dǎo)體出口管制報告，國產(chǎn)替代將持續(xù)受益》）

【AI驅(qū)動新一輪半導(dǎo)體周期】

中信建投認為，算力供應(yīng)緊張，AI有望引領(lǐng)下一輪周期成長。英偉達芯片放量，下一代芯片即將量產(chǎn)，同時HBM4/4e也將落地，算力硬件快速迭代。AI算力加速了對先進制程、先進封裝、先進存儲的需求，以GPU、CoWoS/SoIC、HBM、高速PCB、光模塊為代表的算力需求持續(xù)擴張，供應(yīng)商大力擴產(chǎn)，預(yù)計2025年AI硬件產(chǎn)業(yè)維持高景氣。建議關(guān)注國內(nèi)自主算力芯片及先進封裝標(biāo)的。（來源于中信建投20251002《半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資展望》）

市場上芯片相關(guān)指數(shù)眾多，選取當(dāng)下熱門的科創(chuàng)芯片、半導(dǎo)體等指數(shù)進行比較，可以發(fā)現(xiàn)，雖然均聚焦為芯片板塊，但在指數(shù)編制上卻大有不同。一句話總結(jié)：科創(chuàng)芯片指數(shù)聚焦芯片核心環(huán)節(jié)，“含芯量”更高，彈性強，成長性高。

【科創(chuàng)芯片指數(shù)：“含芯量”更高】

從選樣空間來看，相比其余指數(shù)在全市場范圍取樣，科創(chuàng)芯片指數(shù)選樣空間為科創(chuàng)板，而科創(chuàng)板聚焦“硬科技”板塊，是A股芯片公司大本營，近3年來芯片上市公司中，平均超九成數(shù)量的公司選擇在科創(chuàng)板上市，平均市值占比達到96%。

從行業(yè)分布來看，科創(chuàng)芯片指數(shù)聚焦芯片“高精尖”的上游中游環(huán)節(jié)，核心環(huán)節(jié)占比高達95%，高于其他指數(shù)。

從調(diào)倉頻率來看，科創(chuàng)芯片指數(shù)選取季度調(diào)倉，能更敏捷地反映芯片產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展趨勢。

【科創(chuàng)芯片指數(shù)：成長性更強】

由于科創(chuàng)芯片指數(shù)聚焦芯片“高精尖”的上游中游環(huán)節(jié)，在周期成長與國產(chǎn)替代加速下，展現(xiàn)出較強的成長性。

科創(chuàng)芯片50ETF（588750）標(biāo)的指數(shù)2025年H1凈利潤增速高達71%，2025年全年預(yù)計歸母凈利潤增速高達100%，大幅領(lǐng)先于同類，成長性更強！

【科創(chuàng)芯片指數(shù)：向上彈性強】

由于科創(chuàng)芯片指數(shù)在科創(chuàng)板選樣，具備20cm大長腿，搶反彈更快。特別地，科創(chuàng)芯片指數(shù)向上修復(fù)彈性在同行業(yè)指數(shù)中最強，924至今最大漲幅高達186.5%！從夏普比率和最大回撤來看，科創(chuàng)芯片指數(shù)不僅風(fēng)險調(diào)整后的收益表現(xiàn)更優(yōu)，而且走勢相對穩(wěn)健。

看好芯片核心科技，可關(guān)注科創(chuàng)芯片50ETF（588750），跟蹤復(fù)制科創(chuàng)芯片指數(shù)，漲跌幅彈性高達20%，覆蓋芯片產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)，高純度、高銳度、高彈性！低門檻布局科創(chuàng)芯片核心環(huán)節(jié)，高效把握“新質(zhì)生產(chǎn)力”大行情，搶反彈快人一步！場外投資者可關(guān)注聯(lián)接基金（A：020628；C：020629），可7*24申贖。