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存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)迎來(lái)拐點(diǎn)，科創(chuàng)芯片ETF指數(shù)(588920)交投活躍

<{$news["createtime"]|date_format:"%Y-%m-%d %H:%M"}>  有連云 3135閱讀 2025-08-05 12:22

消息面上，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)迎來(lái)拐點(diǎn)，三季度利基存儲(chǔ)價(jià)格全面上漲。DDR4價(jià)格已超過(guò)DDR5加速了存儲(chǔ)技術(shù)的迭代周期，擁有自主技術(shù)的廠(chǎng)商將掌握定價(jià)主動(dòng)權(quán)。

截至2025年8月5日 10:54，上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)(000685)下跌0.22%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，思特威(688213)領(lǐng)漲3.14%，甬矽電子(688362)上漲2.05%，華虹公司(688347)上漲1.90%；東芯股份(688110)領(lǐng)跌7.01%，思瑞浦(688536)下跌3.60%，富創(chuàng)精密(688409)下跌3.09%?？苿?chuàng)芯片ETF指數(shù)(588920)多空膠著，最新報(bào)價(jià)1.04元。

中信證券預(yù)計(jì)25Q3主流、利基存儲(chǔ)價(jià)格有望全面上漲，疊加消費(fèi)類(lèi)傳統(tǒng)旺季，看好存儲(chǔ)廠(chǎng)商Q3表現(xiàn)。1）DDR4漲價(jià)、NOR Flash漲價(jià)邏輯下，重點(diǎn)推薦存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)龍頭；此外，建議關(guān)注存儲(chǔ)模組分銷(xiāo)商。2）部分DDR4價(jià)格大漲后超過(guò)DDR5價(jià)格，疊加原廠(chǎng)逐步退出DDR4，DDR5滲透率有望加快提升。

科創(chuàng)芯片ETF指數(shù)緊密跟蹤上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)，上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)從科創(chuàng)板上市公司中選取業(yè)務(wù)涉及半導(dǎo)體材料和設(shè)備、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝和測(cè)試相關(guān)的證券作為指數(shù)樣本，以反映科創(chuàng)板代表性芯片產(chǎn)業(yè)上市公司證券的整體表現(xiàn)。

數(shù)據(jù)顯示，截至2025年7月31日，上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)(000685)前十大權(quán)重股分別為寒武紀(jì)(688256)、中芯國(guó)際(688981)、海光信息(688041)、瀾起科技(688008)、中微公司(688012)、芯原股份(688521)、滬硅產(chǎn)業(yè)(688126)、恒玄科技(688608)、華海清科(688120)、思特威(688213)，前十大權(quán)重股合計(jì)占比57.59%。

來(lái)源：有連云

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