中泰國際發(fā)布研究報告稱,隨著電網項目的規(guī)劃和啟動,以及光伏、儲能、電動汽車等市場對自研IGBT芯片和模塊產品的需求提升,2024-2025年賽晶科技(00580)收入目標分別為16億和20億元,同比增長52%和25%。2024年目標凈利潤7,000-8,000萬元,同比增長超過100%。2025年自研IGBT產品收入預計可提升至2億元。
中泰國際主要觀點如下:
輸配電、新能源產業(yè)鏈核心器件供應商
2010年上市,賽晶科技(“公司”)是輸配電行業(yè)、新能源行業(yè)以及工業(yè)領域中的陽極飽和電抗器、層疊母排、功率半導體等核心器件供應商,亦是國內自主研發(fā)陽極飽和電抗器主要供應商之一。2019年,公司開啟IGBT和IGBT模塊的研發(fā)和制造,并于2020年發(fā)布首款產品。公司隨后完成了IGBT芯片、ST分裝IGBT模塊,SiC芯片及模塊以及車規(guī)級BEVD的研發(fā)和制造。公司是國內IGBT企業(yè)中,第一批量產12寸晶圓的企業(yè)。
輸配電業(yè)務穩(wěn)步推進
自2009年起,公司迅速成為特高壓柔性直流輸電設備的主要供應商,參與了國內幾乎所有直流工程。2023年輸配電領域的收入占比39.5%,毛利率48.0%?!笆奈濉币?guī)劃中提出了加強特高壓輸電工程等清潔能源輸送通道的建設和利用效率,對設備提出了更高要求。于“十四五“期間,國網規(guī)劃建設特高壓工程涉及線路3萬余公里,總投資3,800億元(人民幣,下同)。公司作為特高壓直流輸電核心器件供應商,有望深度受益。
自研IGBT,布局國產替代
公司專注于研發(fā)1200V–1700V電壓等級的IGBT產品,利用國產自主技術,逐步實現國產替代。2023年,公司啟動車規(guī)級模塊HEEV和EVD碳化硅SiCMOSFET模塊,EVD硅IGBT模塊的研發(fā);同年公司完成第二條模塊測試生產線建設和調試。2024上半年,公司推出第三代功率半導體SiCMOSFET,該產品電阻低至1200V/13mΩ,達到國際主流企業(yè)同等水平。公司有望打破外資企業(yè)幾乎壟斷高端IGBT芯片的局面,成為芯片國產替代的受益者。
風險提示:1)自研業(yè)務發(fā)展不及預期;2)IGBT市場競爭;3)港股流動性風險。
來源:智通財經網
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